130℃烧结无压纳米银膏驱动光电器件技术突破与产业变革

130℃烧结无压纳米银膏驱动光电器件技术突破与产业变革

一 技术突破：130℃超低温烧结纳米银膏的国产化实现

1材料性能跃升

130℃超低温烧结纳米银膏是整个无压烧结银行业的新突破，善仁新材的纳米银膏AS9338通过纳米颗粒表面能优化和有机载体创新，实现130℃无压烧结，烧结层致密度达92%以上，热导率突破140 W/m·K，剪切强度达35MPa以上，满足车规级可靠性要求。

2工艺兼容性突破
开发适配现有SMT产线的无压烧结工艺，无需改造设备即可替代传统焊料。例如，善仁新材的AS9338在普通烤箱中130℃烧结90分钟，良率超99%。

3成本优势显著
善仁新材通过纳米银粉国产化和绿色合成工艺，银膏成本从进口的36万元/公斤降至19万元/公斤，降幅达67%。以单颗激光雷达模块为例，银耗成本从200元降至68元。

二 核心应用场景与国产替代进展

1激光雷达（LiDAR）

技术突破：AS9338烧结银膏用于InGaAs光电探测器封装，响应波长扩展至2.6 μm，热阻降至0.08℃·cm/W，使激光雷达探测距离突破300米。

国产化案例：**M1激光雷达采用国产银膏后，模组成本降低40%，良率从75%提升至92%。

2Micro-LED显示

技术突破：通过纳米银膏实现倒装芯片（Flip-Chip）无焊料互连，像素密度达3000 PPI，功耗降低30%。

国产化案例：**Vision Pro的Micro-LED模组采用无压纳米烧结银膏，产线节拍提升至1200片/小时。

3柔性光伏组件

技术突破：AS9120BL银浆用于钙钛矿电池电极，方阻低至3 Ω/sq，0BB无主栅技术使银耗减少30%。

国产化案例：**组件采用国产纳米银膏后，单瓦成本下降0.05元，产能提升至10 GW/年。

三 国产化浪潮的三大驱动力

1政策与资本助推

国家大基金三期将第三代半导体封装材料列为重点，2025年累计投资超50亿元。

2产业链协同创新

善仁新材与**共建联合实验室，开发出适配800V高压平台的耐电迁移银膏（电迁移率<1×10⁻¹⁰ A/cm²·V⁻¹）。

3设备国产替代

**智能推出130℃无压烧结设备适配AS9338，温控精度±0.5℃，价格仅为进口设备的1/5。

四 未来趋势：从替代到定义标准

1三维集成突破
利用130℃烧结银膏的低热应力特性，构建3D堆叠光电芯片。实验显示，HBM3与计算单元的垂直互连密度达1 TB/s/cm²，功耗降低50%。

2量子级联集成
在InAs/GaSb量子阱器件中集成无压纳米银膏互连，工作温度从液氮温区（77K）提升至室温，功耗降低90%，为量子计算芯片封装提供新方案。

结语

善仁新城的130℃烧结纳米银膏AS9338的国产化突破，不仅解决了光电器件“卡脖子”难题，更重构了全球无压烧结银膏的产业链格局。随着材料性能持续优化（如热导率向300W/m.K迈进）和成本优势扩大（较进口产品低30%以上），善仁新材纳米银膏正从“替代进口”转向“定义标准”，在第三代半导体、6G通信、量子信息等*领域开辟新赛道。这场由材料创新引领的国产化浪潮，或将重塑全球光电器件产业版图。